[发明专利]一种低温烧结低介电常数陶瓷基板材料及制备方法有效

专利信息
申请号: 201810321342.1 申请日: 2018-04-11
公开(公告)号: CN108314437B 公开(公告)日: 2021-06-15
发明(设计)人: 孙成礼;梁福霞;张树人;唐斌;李恩竹 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: C04B35/16 分类号: C04B35/16;C03C3/064;C04B35/622
代理公司: 成都拓荒者知识产权代理有限公司 51254 代理人: 邹广春
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种低温烧结低介电常数陶瓷基板材料及制备方法,其中,按照质量占比,所述陶瓷基板材料组分包括:10~18%的LBS玻璃,82~90%的Li2SiO3;按照质量占比,所述LBS玻璃的组分构成为:20~26%的Li2CO3,36~45%的B2O3,10~18%的SiO2,1~10%的CaCO3,0~5%的Na2CO3,以及0~5%的Al2O3,所述的Li2SiO3陶瓷粉各组分摩尔之比为Li2O:SiO2=0.9~1.1:1。本发明所提供的陶瓷基板材料具有低介电常数高强度的特性,同时其烧结制备温度较低,能够很好的满足电子封装基板材料的性能要求。
搜索关键词: 一种 低温 烧结 介电常数 陶瓷 板材 料及 制备 方法
【主权项】:
1.一种低温烧结低介电常数陶瓷基板材料,其特征在于,按照质量占比,其组分包括:10%~18%的LBS玻璃,82%~90%的Li2SiO3;按照质量占比,所述LBS玻璃的组分构成为:20~26%的Li2CO3,36~45%的B2O3,10~18%的SiO2,1~10%的CaCO3,0~5%的Na2CO3,以及0~5%的Al2O3,所述的Li2SiO3陶瓷粉各组分摩尔之比为Li2O:SiO2=0.9~1.1:1。
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