[发明专利]一种高散热性能双栅氧化镓场效应薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201810316763.5 | 申请日： | 2018-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN108550624A | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | 徐明升;宋爱民;辛倩;刘雅璇;杜璐璐 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/02;H01L21/336 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 张宏松 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高散热性能双栅氧化镓场效应薄膜晶体管及其制备方法，包括衬底、底栅电极、底栅介质层、氧化镓沟道层、顶栅介质层、顶栅电极、源电极、漏电极。其中，氧化镓沟道层是采用胶带剥离技术转移到衬底上，厚度很薄，热阻较小，散热效果好，且晶体管为双栅结构，通过双栅结构增强栅电极对载流子的控制能力，改善器件的夹断特性，晶体管的热阻大大降低，散热性能高。改善器件的夹断特性。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化镓 薄膜晶体管 高散热性能 双栅结构 场效应 沟道层 晶体管 衬底 夹断 热阻 双栅 制备 载流子 剥离技术 底栅电极 顶栅电极 顶栅介质 控制能力 散热效果 散热性能 介质层 漏电极 源电极 栅电极 胶带 底栅 | ||
【主权项】：
1.一种高散热性能双栅氧化镓场效应薄膜晶体管，包括衬底、栅电极、源电极和漏电极，其特征在于，衬底上从下至上依次设置有底栅介质层、氧化镓沟道层，氧化镓沟道层上设置有源电极和漏电极，源电极与漏电极之间的氧化镓沟道层上表面覆盖有顶栅介质层。
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