[发明专利]周期性交错波导结构、以及电光调制结构和MZI结构有效
| 申请号： | 201810314033.1 | 申请日： | 2018-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN108490650B | 公开（公告）日： | 2020-04-24 |
| 发明（设计）人： | 匡迎新;李智勇;刘阳;刘磊;李泽正 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G02F1/035 | 分类号： | G02F1/035;G02F1/21 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 谢海燕 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种周期性交错波导结构、以及使用它的电光调制结构和MZI结构，周期性交错波导结构呈脊型，沿波导延伸方向在脊型波导中心形成有条状插指形n型Si掺杂区，在插指间形成有p型SiGe掺杂区，n型Si掺杂区和p型SiGe掺杂区周期性交错排列，n型Si掺杂区在其插指的一侧连接且与脊型波导中心底部连接，n型Si掺杂区的插指底部与在脊型波导中心底部连接的n型Si掺杂区的上表面之间设置有空隙，在该空隙设置有p型SiGe掺杂区而使在插指间形成的p型SiGe掺杂区相连。由此，SiGe材料载流子有效质量减小，自由载流子等离子色散效应增强，而使SiGe材料的折射率变化增大，从而优化了调制效率、调制速度、调制功耗，获得了尺寸降低而调制性能提升的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 周期性 交错 波导 结构 以及 电光 调制 mzi | ||
【主权项】：
1.一种周期性交错波导结构，其呈脊型，包括：沿波导延伸方向在脊型波导中心形成的条状插指形Si掺杂区；以及形成在所述插指之间的SiGe掺杂区；其中，所述Si掺杂区和所述SiGe掺杂区周期性交错排列。
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