[发明专利]一种用于微气体传感器的MEMS缓冲器结构在审
| 申请号： | 201810313555.X | 申请日： | 2018-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN108680703A | 公开（公告）日： | 2018-10-19 |
| 发明（设计）人： | 董林玺;徐忠仁 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | G01N33/00 | 分类号： | G01N33/00;B81B7/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 杭州千克知识产权代理有限公司 33246 | 代理人： | 周希良 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于微气体传感器的MEMS缓冲器结构。本发明是在传感器薄膜上沉积氧化硅等绝热性较好的隔离层，通过光刻胶工艺和干法刻蚀工艺得到多个分离的长方体结构的阻挡器。其中五个长方体阻挡器看作一个小整体，每个小整体以梯形结构排列，五个长方体阻挡器分别排列在梯形结构的四个顶点和下底线中心位置。对于每个长方体，其底面为正方形，高度与长方体底面边长相等。当外部气体经过传感器薄膜时会受到各阻挡器的阻挡，使得气体在传感器薄膜附近运动速度降低，从而减小气体流动导致的薄膜表面温度的降低，使传感器的灵敏度和稳定性提高，并降低了传感器检测时所需的能耗。 | ||
| 搜索关键词： | 阻挡器 传感器薄膜 微气体传感器 缓冲器结构 梯形结构 干法刻蚀工艺 长方体底面 长方体结构 传感器检测 光刻胶工艺 薄膜表面 底线中心 气体流动 速度降低 外部气体 隔离层 绝热性 灵敏度 氧化硅 边长 传感器 沉积 底面 减小 相等 能耗 阻挡 | ||
【主权项】：
1.一种用于微气体传感器的MEMS缓冲器结构，其特征在于：是在传感器薄膜上沉积绝热隔离层，通过光刻胶工艺和干法刻蚀工艺得到的多个分离的长方体结构的阻挡器；其中五个长方体阻挡器看作一个小整体，每个小整体以梯形结构排列，五个长方体阻挡器分别排列在梯形结构的四个顶点和下底线中心位置；对于每个长方体，其底面为正方形，高度与长方体底面边长相等。
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