[发明专利]一种分子级厚度聚噻吩二维薄膜的制备方法

摘要

本发明属于二维材料制备技术领域，具体为分子级厚度聚噻吩二维薄膜的制备方法。本发明方法包括：首先，将单体和经过退火处理的金属衬底放入化学气相沉积系统中，在特定气流下使单体和衬底达到需要的反应温度，反应一定时间；然后，待体系冷却后将衬底取出，在衬底上得到聚噻吩二维薄膜。本发明的制备方法工艺简单，反应温度低，成本低廉，适用于大规模生产，且由于金属催化衬底的表面限域效应，所制备的聚噻吩薄膜具有分子级厚度。

主权项

1.一种分子级厚度聚噻吩二维薄膜的制备方法，其特征在于，是采用表面辅助乌尔曼偶联反应与化学气相沉积相结合的方法，具体步骤如下：（1）将经过退火处理的金属衬底放置在化学气相沉积反应系统中，并持续通入特定气流，使气氛稳定；（2）将单体和金属衬底分别加热至所需反应温度，进行反应；（3）停止加热，待系统冷却至室温后，取出金属衬底，在金属衬底上得到聚噻吩二维薄膜，通过“湿法”转移至所需衬底；其中，所述的单体为二卤代噻吩和多卤代芳烃，两者用量摩尔比为100:1至1:10；所通入的气流为惰性气体和还原性气体，气体流量为1~1000毫升每分钟；惰性气体和还原性气体的流量体积比为100:1至1:100。