[发明专利]一种单片集成三端电压调控发光器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201810301462.5 | 申请日： | 2018-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN108461516A | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | 卢星;李斌;陈志坚;黄沫 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L21/82 |
| 代理公司： | 广州市越秀区海心联合专利代理事务所(普通合伙) 44295 | 代理人： | 黄为 |
| 地址： | 510000 广东省广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单片集成三端电压调控发光器件，属于半导体器件技术领域，包括衬底，还包括：垂直结构的发光二级管和垂直场效应晶体管；所述的发光二级管设有正电极，所述的垂直场效应晶体管设有源电极和栅电极；所述的发光二级管和垂直场效应晶体管在所述衬底的上方并列设置且发光二级管和垂直场效应晶体管之间设有隔断部；所述的发光二极管与垂直场效应晶体管具有提供两者之间电学连接的共同的n型半导体导电层。本发明的一种单片集成三端电压调控发光器件具有体积小、控制精确、兼容性好的特点。本发明还公开了一种单片集成三端电压调控发光器件的制备方法，具有制备过程简单可靠的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直场效应晶体管 发光二级管 端电压 单片集成 发光器件 调控 衬底 制备 半导体器件技术 发光二极管 并列设置 垂直结构 电学连接 制备过程 导电层 兼容性 体积小 源电极 栅电极 正电极 隔断 | ||
【主权项】：
1.一种单片集成三端电压调控发光器件，包括衬底(101)；其特征在于，还包括：垂直结构的发光二级管和垂直场效应晶体管；所述的发光二级管设有正电极(108)，所述的垂直场效应晶体管设有源电极(109)和栅电极(111)；所述的发光二级管和垂直场效应晶体管在所述衬底(101)的上方并列设置且发光二级管和垂直场效应晶体管之间设有隔断部(114)；所述的发光二极管与垂直场效应晶体管具有提供两者之间电学连接的共同的n型半导体导电层(103)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
