[发明专利]一种利用原位溅射结合离子束刻蚀的抛光装置及抛光方法有效

专利信息
申请号: 201810297952.2 申请日: 2018-04-04
公开(公告)号: CN108385110B 公开(公告)日: 2019-07-12
发明(设计)人: 刘卫国;周顺;葛少博;王泉;惠迎雪;蔡长龙;陈智利;秦文罡;刘欢 申请(专利权)人: 西安工业大学
主分类号: C23C14/46 分类号: C23C14/46
代理公司: 西安新思维专利商标事务所有限公司 61114 代理人: 黄秦芳
地址: 710032 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明涉及离子束技术领域,具体涉及一种利用原位溅射结合离子束刻蚀的抛光装置及抛光方法。其包括传递室、刻蚀室、溅射沉积室以及设于传递室与刻蚀室,刻蚀室与溅射沉积室之间的插板阀,传递室、刻蚀室和溅射沉积室内设有三者之间传送工件的工件传送装置。以及应用此设备发明的一种抛光方法,其流程为:首先在传递室装载工件,其次在刻蚀室对工件离子束清洗,再次在溅射沉积室对工件溅射沉积一层薄膜层(牺牲层),进而在刻蚀室对工件进行离子束修正抛光,最后通过传递室取出工件,实现光学元件的抛光。
搜索关键词: 刻蚀 溅射沉积 传递室 抛光 离子束刻蚀 抛光装置 溅射 工件传送装置 离子束技术 离子束清洗 传送工件 光学元件 设备发明 薄膜层 插板阀 离子束 牺牲层 装载 取出 室内 修正 应用
【主权项】:
1.一种利用原位溅射结合离子束刻蚀的抛光装置,包括传递室(1)、溅射沉积室,其特征在于:还包括刻蚀室,所述的传递室(1)一端与刻蚀室之间设置控制其连通与闭合的第一插板阀(4),所述的刻蚀室与溅射沉积室之间设置控制其连通与闭合的第二插板阀(5),所述的传递室(1)的另一端为传递室出口,并与大气相通,传递室(1)、刻蚀室和溅射沉积室三者之间设置有传送工件的工件传送装置;所述的刻蚀室包括主刻蚀室(2)和副刻蚀室(10),主刻蚀室(2)和副刻蚀室(10)上下设置并连通,所述的溅射沉积室包括主溅射沉积室(3)和副溅射沉积室(7),所述的主溅射沉积室(3)和副溅射沉积室(7)上下设置并连通;所述的刻蚀室内设置有第一离子源系统(9)、离子束质量分析单元、离子束匀化装置和中和灯丝;所述的溅射沉积室内设置有第二离子源系统(6)、离子束质量分析单元和溅射靶材单元;所述的第一离子源系统(9)设置于副刻蚀室(10)内,由三个微波离子源拼接而成,所产生的离子束经过屏栅、加速栅和接地栅引出,三层栅呈矩形并具有弧度用于离子束的聚焦;第一离子源系统(9)发射的离子束与装载在工件传送装置的工件夹持器上的工件表面的夹角,通过更换不同的转接法兰来改变,实现离子束的刻蚀角度在30°~60°范围内变化;所述的离子束质量分析单元设置于主刻蚀室(2)内,其包括法拉第杯(15)、步进电机(17)和滚珠丝杠(16),滚珠丝杠(16)设置于法拉第杯(15)与步进电机(17)之间;所述离子束匀化装置设置于第一离子源与工件之间,其结构包括石墨修形板(18)、直线电机(19)和编码器(20);所述石墨修形板(18)设置于直线电机(19)上,所述的直线电机(19)的一侧设置有编码器(20)。
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