[发明专利]一种增强型GaN HEMT器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201810297761.6 | 申请日： | 2018-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN108538908B | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | 卢星;李斌;陈志坚;黄沫 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 广州市越秀区海心联合专利代理事务所(普通合伙) 44295 | 代理人： | 黄为 |
| 地址： | 510000 广东省广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种增强型GaN HEMT器件及其制备方法，包括衬底以及设置在衬底上的HEMT异质结结构；所述的HEMT异质结结构顶层为薄AlGaN势垒层；在薄AlGaN势垒层上方分别设置漏极、源极和栅极；薄AlGaN势垒层上方在栅极与源极之间、栅极与漏极之间设置介质层用于提高沟道的二维电子气浓度；所述的薄AlGaN势垒层与漏极、源极为欧姆接触，与栅极为肖特基接触。优点在于，通过采用薄AlGaN势垒层使HEMT器件栅极区域的沟道处于耗尽截止状态，在栅‑漏、栅‑源之间的区域则通过调控介质层作用来提高其沟道的二维电子气浓度，从而实现具有较小导通电阻的增强型器件。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道 漏极 二维电子气 异质结结构 介质层 增强型 衬底 源极 制备 肖特基接触 增强型器件 导通电阻 截止状态 欧姆接触 栅极区域 顶层 耗尽 调控 | ||
【主权项】：
1.一种增强型GaN HEMT器件，包括：衬底(101)以及设置在衬底(101)上的HEMT异质结结构；其特征在于，所述的HEMT异质结结构顶层为AlGaN势垒层(106)；在AlGaN势垒层(106)上方分别设置漏极(110)、源极(109)和栅极(108)；AlGaN势垒层(106)上方在栅极(108)与源极(109)之间、栅极(108)与漏极(110)之间设置介质层(107)用于提高沟道的二维电子气浓度；所述的AlGaN势垒层(106)与漏极(110)、源极(109)为欧姆接触，与栅极(108)为肖特基接触，所述的AlGaN势垒层(106)厚度小于6nm。
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