[发明专利]透光性SiC的制造方法有效
| 申请号： | 201810294548.X | 申请日： | 2018-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN110318037B | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 韩明旭;涂溶;章嵩;后藤孝 | 申请（专利权）人： | 揖斐电株式会社;武汉理工大学;后藤孝 |
| 主分类号： | C23C16/32 | 分类号： | C23C16/32;C23C16/48 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 庞东成;孟伟青 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供透光性SiC的制造方法，该方法能够容易地得到高透明度的SiC。在本发明的高纯度SiC的制造方法中，对放入到CVD炉(10)内的基材(S)进行加热，同时使用导入管(20)向CVD炉(10)内导入原料气体即硅烷系气体与烃气体的混合气体，基材(S)的加热使用光能，使CVD‑SiC在基材(S)的表面生长。并且，透光性SiC原料气体的C/Si比为0.125～0.5。 | ||
| 搜索关键词： | 透光 sic 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种透光性SiC的制造方法，其是对放入到CVD炉内的基材进行加热的同时向炉内导入原料气体而使CVD‑SiC在所述基材的表面生长的透光性SiC的制造方法，其中所述原料气体为硅烷系气体与烃气体的混合气体，其中，所述基材的加热使用光能，并且所述原料气体的C/Si比为0.125～0.5。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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