[发明专利]磁阻随机存取存储器单元及其制造方法在审
| 申请号： | 201810293503.0 | 申请日： | 2013-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN108550694A | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | 吴国铭;郑凯文;蔡正原;蔡嘉雄 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/02 | 分类号： | H01L43/02;H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体存储器件。该器件包括：具有反铁磁材料并设置在第一电极上方的固定层；设置在该固定层上方的被固定层；设置在该被固定层上方的隧道层，设置在该隧道层上方的自由层以及设置在该自由层上方的保护层。该保护层包括金属氧化物和金属氮化物材料。本发明提供磁阻随机存取存储器单元及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻随机存取存储器 被固定层 保护层 固定层 隧道层 自由层 半导体存储器件 金属氮化物材料 反铁磁材料 金属氧化物 第一电极 制造 | ||
【主权项】：
1.一种制造磁阻随机存取存储器(MRAM)单元的方法，包括：在底部电极上方形成固定层；在所述固定层上方形成被固定层；在所述被固定层上方形成隧道层；在所述隧道层上方形成自由层；在所述自由层上方形成保护层，其中，所述保护层提供抗蚀刻性，以保护所述自由层和所述隧道层免受边缘损坏，形成所述保护层包括在物理汽相沉积(PVD)工具中实施沉积，在沉积过程中引入氮以形成金属氮化物保护层，其中，根据所述磁阻随机存取存储器(MRAM)单元的隧道电磁电阻(TMR)和电阻区(RA)的目标调整所述金属氮化物保护层的氮浓度；在所述保护层上方形成顶部电极；以及通过图案化和蚀刻所述顶部电极，所述保护层，所述自由层，所述隧道层，所述被固定层，所述固定层以及所述底部电极形成磁隧道结(MTJ)堆叠结构。
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