[发明专利]一种高容量的层状二硫化锗纳米片及其制备方法和应用

摘要

本发明属于微纳米材料领域，本发明公开一种高容量的层状二硫化锗(GeS2)纳米片及其制备方法和应用。所述层状二硫化锗纳米片是由锗源和钙源混合后在900℃～1050℃下经退火Ⅰ，将所得产物加入盐酸溶液中，在‑20℃～‑40℃搅拌，得到GeH，然后将GeH和硫源在650℃～850℃下经退火Ⅱ，经洗涤，干燥制得。本发明制备的层状GeS2单层厚度约为1.2nm，相比于利用机械力的高能球磨方法，本发明利用原位转化法制备的GeS2，完整地保持了GeH的层状结构。当其应用在锂离子电池负极材料时，表现出高的可逆充放电容量以及优异的循环寿命。

主权项

1.一种高容量的层状二硫化锗纳米片，其特征在于，所述层状二硫化锗纳米片是由锗源和钙源混合后在900℃～1050℃下经退火Ⅰ，将所得产物加入盐酸溶液中，在‑20℃～‑40℃搅拌，得到GeH，然后将GeH和硫源在650℃～850℃下经退火Ⅱ，经洗涤，干燥制得。