[发明专利]一种基于长程等离子波导的表面增强拉曼光流体芯片有效

专利信息
申请号: 201810290195.6 申请日: 2018-04-03
公开(公告)号: CN108693160B 公开(公告)日: 2021-03-23
发明(设计)人: 赖春红;吴聪;夏大杨;何婷;叶林欣;王春瑞 申请(专利权)人: 重庆邮电大学
主分类号: G01N21/65 分类号: G01N21/65;B01L3/00
代理公司: 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 代理人: 赵荣之
地址: 400065 *** 国省代码: 重庆;50
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摘要: 发明涉及一种基于长程等离子波导的表面增强拉曼光流体芯片,耦合光栅(1)、介质波导、表面等离子波导、微流体结构和硅基底(2);介质波导由波导上包层(3)、波导下包层(4)和波导芯层(5)组成;波导上包层(3)设置在波导芯层(5)的上表面,耦合光栅(1)分布在波导芯层(5)的上表面,且耦合光栅(1)未与波导上包层(3)接触;硅基底(2)、波导下包层(4)和波导芯层(5)的外表面齐平,波导上包层(3)、表面等离子波导芯层(9)和微流体通道(8)的外表面齐平。本发明的基于长程等离子波导的表面增强拉曼光流体芯片,结构简单、尺寸很小,可在单一芯片上制作阵列式结构,提高检测灵敏度。
搜索关键词: 一种 基于 长程 等离子 波导 表面 增强 拉曼光 流体 芯片
【主权项】:
1.一种基于长程等离子波导的表面增强拉曼光流体芯片,其特征在于:耦合光栅(1)、介质波导、表面等离子波导、微流体结构和硅基底(2);所述介质波导由波导上包层(3)、波导下包层(4)和波导芯层(5)组成,所述波导下包层(4)层叠设置在所述硅基底(2)的上表面,所述波导芯层(5)层叠设置在所述波导下包层(4)的上表面;所述波导上包层(3)设置在所述波导芯层(5)的上表面,且所述波导上包层(3)的下表面积小于所述波导芯层(5)的上表面积;所述耦合光栅(1)分布在所述波导芯层(5)的上表面,且所述耦合光栅(1)未与所述波导上包层(3)接触;所述波导上包层(3)的上表面设置有表面等离子波导芯层(9);所述微流体结构由进液通道(6)、出液通道(7)和微流体通道(8)组成;所述微流体通道(8)层叠设置在所述表面等离子波导芯层(9)的上表面,所述进液通道(6)和出液通道(7)均设置于所述微流体通道(8)的上表面;所述硅基底(2)、波导下包层(4)和波导芯层(5)的外表面齐平,所述波导上包层(3)、表面等离子波导芯层(9)和微流体通道(8)的外表面齐平;入射光从耦合光栅(1)射入并从波导芯层(5)另一端射出。
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