[发明专利]一种低反射率单晶硅的制绒工艺

摘要

一种低反射率单晶硅的制绒工艺，将硅片浸入NaClO溶液去除硅片表面的污渍和损伤层后，用清水漂洗；将硅片浸入NaOH和无醇单晶硅制绒添加剂的混合溶液中，形成制绒绒面，用纯水漂洗；先将硅片浸入HF和AgNO3混合溶液漂洗，然后将硅片浸入H2O2和HF混合溶液对硅片刻蚀；最后将硅片浸入氨水和H2O2混合溶液，中和硅片表面的Ag+；硅片室温下用NaOH对硅片表面进行修饰，浸入清水中漂洗后，用酸进行三级酸洗处理，得到产品。优点是：操作方便，大大提高了工艺的可靠性，节约成本，具有良好的制绒效果，提高硅电池的电性能。

主权项

1.一种低反射率单晶硅的制绒工艺，其特征是：具体步骤如下：1)去损伤层将硅片浸入80℃浓度8％‑12％的NaClO溶液150秒‑200秒，去除硅片表面的污渍和损伤层；2)清洗硅片浸入清水中室温下漂洗100秒‑150秒；3)制绒将硅片浸入75℃‑80℃的NaOH浓度为1.4％‑1.6％和无醇单晶硅制绒添加剂浓度为0.4％‑0.6％的混合溶液中1080秒‑1500秒，形成制绒绒面；将硅片浸入60℃的纯水漂洗100秒‑150秒；4)刻蚀硅片室温下浸入浓度0.8％‑1.2％的HF和质量分数0.016％‑0.020％的AgNO3混合溶液60秒‑120秒，浸入纯水室温下漂洗45秒‑90秒；硅片室温下浸入浓度0.6％‑0.8％的H2O2和浓度2.2％‑2.6％的HF混合溶液对硅片刻蚀15秒‑45秒；硅片室温下浸入浓度0.4％‑0.6％氨水和浓度0.6％‑0.8％的H2O2混合溶液，浸泡时间为60秒‑120秒；浸入纯水室温下漂洗45秒‑90秒；硅片室温下用浓度为0.8％‑1.2％的NaOH对硅片表面进行修饰，时间为30秒‑60秒；浸入清水中室温下漂洗60秒‑120秒；5)酸洗Ⅰ硅片室温下浸入70℃的HCl浓度为7.5％‑8.5％和H2O2浓度为5.8％‑6.2％的混合溶液中540秒‑660秒；硅片浸入清水中室温下漂洗60秒‑120秒；6)酸洗Ⅱ硅片浸入HF浓度为4.8％‑5.2％和H2O2浓度为1.8％‑2.2％混合溶液中室温下酸洗60秒‑90秒；硅片浸入清水中室温下漂洗80秒‑100秒；7)酸洗Ⅲ硅片浸入HCl浓度为2.4％‑2.6％和H2O2浓度为5.8％‑6.2％混合溶液中室温下酸洗120秒‑150秒；硅片浸入清水中室温下漂洗180秒‑210秒。