[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201810287765.6 | 申请日： | 2018-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN108695433A | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 朴日穆 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 范心田 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种半导体器件。该半导体器件包括第一字线、第一位线，模制膜和第一存储单元。第一位线与第一字线的方向交叉并且与第一字线隔开。模制膜填充第一字线与第一位线之间的空间。第一存储单元在模制膜中并且在第一字线与第一位线之间。第一存储单元包括在第一字线上的第一下电极、在第一下电极上的第一相变膜、在第一相变膜上的第一中间电极、在第一中间电极上的第一双向阈值开关(OTS)以及在第一OTS和第一位线之间的第一上电极。第一下电极的电阻率在约1至约30mΩ·cm的范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 字线 位线 半导体器件 存储单元 模制膜 下电极 中间电极 双向阈值开关 方向交叉 电阻率 电极 隔开 填充 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：第一字线，沿第一方向延伸；第一位线，沿与第一方向交叉的第二方向延伸，并且沿与第一方向和第二方向交叉的第三方向与第一字线间隔开；第一存储单元，在所述第一字线与所述第一位线之间沿所述第三方向延伸，其中所述第一存储单元包括：在第一字线上的第一下电极，在第一下电极上的第一相变膜，在第一相变膜上的第一中间电极，在第一中间电极上的第一开关，以及在所述第一开关上的第一上电极，并且其中所述第一下电极的电阻率在约1至约30mΩ·cm的范围内。
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