[发明专利]一种钛镍钴记忆合金体的制备方法

摘要

本发明公开了一种钛镍钴记忆合金体的制备方法，该方法克服了现有的多孔TiNiCo形状记忆合金制备方法中孔隙率和孔径及孔型均难以控制以及合金产品的阻尼性能及其他力学性能尚需提高的缺陷，本方法处理的TiNiCo形状记忆合金，其内部晶粒尺寸为亚微米量级，细小的晶粒尺寸与析出相可强化TiNiCo形状记忆合金基体，从而降低R相转变为马氏体相的温度，致使R相存在的温度区间扩大。这为进一步利用R相变提供了便利条件，同时改善合金的形状恢复特性，提高合金的循环稳定性。

主权项

1.一种钛镍钴记忆合金体的制备方法，该方法包括如下步骤：（1）配料按以下重量份配制混合粉钛粉   25‑28份；镍粉   42‑45份；钴粉   12‑16份钇粉   0.5‑1.5份将混合粉置于不锈钢球磨罐中，注满无水乙醇后密封，在行星式球磨机上球磨3‑4h，球磨中采用的球料比为10∶1，球磨机的转速为400‑500r/min，之后，将球磨好的混合粉取出并置于滤纸上静置6‑8分钟，得到原料粉；（2）制备记忆合金基体上述原料粉与去结晶水KCl颗粒均匀混合，去结晶水KCl颗粒的用量为其占混合粉与去结晶水KCl颗粒混合物的体积百分比的65‑75％，将该混合物在混料机中混合45‑50min后装入内壁涂覆硬脂酸锌的不锈钢模具中，单向加压380‑400MPa制得生坯，之后将该生坯装入氧化铝坩埚，并置于管式真空烧结炉中，待炉内真空抽至1‑5Pa后，以5‑10℃/min的速率加热至800‑810℃，保温3‑4h后，再以10‑15℃/分钟的速率加热至960‑980℃，保温3‑4h后随炉冷却至室温，将烧结体从炉内取出，置于超声波水浴中清洗15‑20min后烘干，制得多孔合金基体；（3）将记忆合金基体通过后续退火获得晶粒尺寸介于200‑250nm的合金，后续退火温度为450‑550℃，保温时间为30‑45min；利用等径角挤压处理制备超细晶记忆合金基体，具体挤压工艺如下：挤压路径Bc，挤压道次9‑11，挤压温度480‑500℃，挤压模具内角为120°；将上述记忆合金基体置于真空热处理炉，抽真空至1×10‑3‑1×10‑4Pa，在温度为250‑350℃条件下时效处理15‑20h；将时效处理的记忆合金基体去除表面氧化皮，即可得到具有较宽R相存在温度区间的钛镍钴记忆合金体。