[发明专利]表面平坦化方法及半导体多层互连结构有效
| 申请号： | 201810281915.2 | 申请日： | 2018-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN108682650B | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | 闵源;李大鹏;蒋阳波;李道光;刘慧超 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/538 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 邓晔 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种表面平坦化方法，用于半导体多层互连结构中的化学机械抛光，包括：第一化学机械抛光工序，对半导体多层互连结构中沉积于深孔的金属进行化学机械抛光；第二介质层形成工序，在半导体多层互连结构中阻挡层的表面形成第二介质层；以及第二化学机械抛光工序，对第二介质层及阻挡层进行化学机械抛光。通过使用本发明的该表面平坦化方法，能够修复形成半导体多层互连结构的工艺中铜制程的化学机械抛光工序产生的碟形凹陷，进而为后续工艺提供足够大的工艺窗口，确保后续制程的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 化学机械抛光 多层互连结构 半导体 表面平坦化 介质层 阻挡层 表面形成 碟形凹陷 工艺窗口 后续工艺 形成工序 铜制程 沉积 深孔 制程 金属 修复 | ||
【主权项】：
1.一种表面平坦化方法，用于半导体多层互连结构中的化学机械抛光，所述半导体多层互连结构包括至少两层互连结构，即第一层互连结构和第二层互连结构，所述第一层互连结构和所述第二层互连结构中形成有深孔，且通过深孔相连通，所述第一层互连结构中从下到上依次形成有第一介质层、阻挡层，所述表面平坦化方法的特征在于，包括：第一化学机械抛光工序，对隔着所述阻挡层形成于所述深孔且覆盖所述阻挡层的金属进行化学机械抛光以露出所述阻挡层的至少一部分；第二介质层形成工序，在所述阻挡层的表面形成第二介质层；第二化学机械抛光工序，对所述第二介质层及所述阻挡层进行化学机械抛光，以露出形成在所述第二层互连结构上方的所述第一介质层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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