[发明专利]一种三维多孔硅掺杂钛源与碳复合的负极材料制备方法有效

专利信息
申请号: 201810279099.1 申请日: 2018-03-31
公开(公告)号: CN108376780B 公开(公告)日: 2020-07-10
发明(设计)人: 唐唯;皮涛;王志勇;黄越华;肖志平;邵浩明;黎建锋 申请(专利权)人: 湖南中科星城石墨有限公司
主分类号: H01M4/36 分类号: H01M4/36;H01M4/38;H01M4/62;H01M10/0525
代理公司: 长沙市护航专利代理事务所(特殊普通合伙) 43220 代理人: 杨水根
地址: 410600 湖南*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明涉及一种三维多孔硅掺杂钛源与碳复合的负极材料制备方法,包括以下步骤:制备多孔硅,加入去离子水或无水乙醇、钛源,进行研磨,得到纳米浆料;将纳米混合浆料进行喷雾干燥,得到前驱体;将前驱体焙烧、冷却、过筛,通过CVD进行沉积涂覆,然后在惰性气氛下冷却,得到三维多孔硅复合材料。本发明解决了常规Si/C循环性能和膨胀的问题。
搜索关键词: 一种 三维 多孔 掺杂 复合 负极 材料 制备 方法
【主权项】:
1.一种三维多孔硅掺杂钛源与碳复合的负极材料制备方法,其特征在于,包括以下步骤:A1. 将二氧化硅粉末与铝粉混合,放入高温碳化炉中在保护气氛下加热,然后将所得粉体材料在氢氟酸溶液中浸泡,再用洗涤、干燥,得到多孔硅;A2、将多孔硅过筛,然后在多孔硅中加入去离子水或无水乙醇,再加入含有钛源的化合物,进行研磨,得到纳米浆料;A3. 将纳米混合浆料进行喷雾干燥,得到前驱体;A4. 将前驱体在保护气氛下焙烧,然后冷却至室温;A5. 将上述焙烧后的前驱体过筛,再使用含碳氢的有机气体作为碳源,通过CVD法涂覆碳层,在保护气和含碳氢的有机气体的混合气体下,进行沉积涂覆,然后在惰性气氛下冷却,得到所述多孔硅复合材料。
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