[发明专利]一种超精细纳米多孔铜膜的制备方法有效
申请号: | 201810275894.3 | 申请日: | 2018-03-30 |
公开(公告)号: | CN108385069B | 公开(公告)日: | 2020-07-28 |
发明(设计)人: | 胡义锋;吴兆虎;陈玉洁 | 申请(专利权)人: | 西安理工大学 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;C23C14/16;C23C14/58;C23F1/20 |
代理公司: | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人: | 宁文涛 |
地址: | 710048*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: |
本发明公开了一种超精细纳米多孔铜膜的制备方法,包括具体以下步骤,步骤1,切割硅片;步骤2,清洗基片,设置铜靶材和铝靶材的溅射电流和溅射电压,预溅射5mins,对基片进行清洗;步骤3,制备合金前驱体,用铜靶材和铝靶材的溅射,控制薄膜材料中铜铝的原子比在25%~35%:65%~75%,溅制得合金前驱体;步骤4,腐蚀合金前驱体,将制备出来的合金前驱体放在NaOH溶液或H |
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搜索关键词: | 一种 精细 纳米 多孔 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种超精细纳米多孔铜膜的制备方法,其特征在于,具体按照以下步骤实施:步骤1,切割基片;步骤2,清洗基片将步骤1切割后的硅片固定在样品基台上,把纯铜和纯铝靶材固定在靶位上,再把挡板旋转至靶台和靶位中间,关闭腔门使真空室密封,抽真空后打开氩气流量阀,通入氩气,使真空室内压强增加,调节基片偏压,并设置铜靶材和铝靶材的溅射电流和溅射电压,预溅射对基片进行清洗;步骤3,制备合金前驱体对步骤2清洗后的基片镀过渡层,将铜靶材和铝靶材的预溅射电流和预溅射电压逐渐增加,进行溅射,持续3‑5分钟,之后保持铜靶材的溅射电流值、溅射电压值,铝靶材的溅射电流值、溅射电压值,基片偏压值,开始镀工作层,铜靶材和铜靶材进行溅射,溅射结束后得到铜铝合金薄膜前驱体,薄膜材料中铜铝的原子比是25%~35:65%~75%;步骤4,腐蚀合金前驱体将配制好的H2SO4溶液或NaOH溶液放入容器中,通入氮气,除去溶液中的残留氧气,将步骤3制备的样品放入溶液中,用封口膜封住容器口,放入预设好温度的水浴容器中脱合金,将所得的脱合金后的样品使用去离子水除去样品表面离子杂质,即得纳米多孔铜膜。
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