[发明专利]用于避免异常放电和等离子体聚集的绝缘体结构在审
| 申请号： | 201810275028.4 | 申请日： | 2018-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN108878244A | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 近藤裕志;平山昌树 | 申请（专利权）人： | ASMIP控股有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张成新 |
| 地址： | 荷兰弗*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种绝缘体，用于包括上电极、下电极和反应腔室的加工设备，该绝缘体适于被布置在上电极周围，该绝缘体包括：适于面向反应腔室的底端部；和面向上电极的侧壁的侧壁，其中，绝缘体的底端部的边缘部分径向向内延伸，以形成突出部分，使得突出部分覆盖上电极的底表面的边缘以及介于上电极的侧壁和绝缘体的侧壁之间的间隙。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘体 电极 侧壁 反应腔室 底端部 等离子体 绝缘体结构 电极周围 加工设备 径向向内 异常放电 下电极 和面 延伸 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘体，适于被安装在等离子体沉积或等离子体刻蚀设备中，所述设备包括上电极、下电极和反应腔室，所述绝缘体适于被布置在所述上电极周围，并且所述绝缘体包括：底端部，适于面向所述反应腔室；和侧壁，面向所述上电极的侧壁，其中，所述绝缘体的所述底端部的边缘部分径向向内延伸以形成突出部分，使得所述突出部分覆盖所述上电极的底表面的边缘以及介于所述上电极的所述侧壁与所述绝缘体的所述侧壁之间的间隙。
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