[发明专利]一种在二维石墨衬底上制备GaN薄膜的方法有效
| 申请号： | 201810273092.9 | 申请日： | 2018-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN108511322B | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 李天保;刘晨阳;张哲;于斌;贾伟;余春燕;董海亮;贾志刚;许并社 | 申请（专利权）人： | 太原理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C23C16/44;C23C16/54 |
| 代理公司： | 北京睿智保诚专利代理事务所(普通合伙) 11732 | 代理人： | 周新楣 |
| 地址： | 030024 *** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： |
本发明属GaN薄膜制备技术领域，为解决目前GaN和异质衬底之间存在较大的晶格失配和热失配，在GaN薄膜中产生大量的穿透位错，严重影响设备性能等问题，提供一种在二维石墨衬底上制备GaN薄膜的方法。HOPG采用机械剥离法进行剥离获得石墨衬底材料，将剥离的石墨衬底材料转移至SiO |
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| 搜索关键词： | 一种 二维 石墨 衬底 制备 gan 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在二维石墨衬底上制备GaN薄膜的方法，其特征在于：高定向热解石墨HOPG采用机械剥离法进行剥离获得石墨衬底材料，将剥离的石墨衬底材料转移至SiO2衬底或Si衬底上形成石墨衬底，制备的石墨衬底进行氧等离子处理，然后将其置于金属有机化学气相沉积即MOCVD反应室内反应形成AlGaN形核层，退火处理，生长GaN外延薄膜。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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