[发明专利]一种挥发性渣气协同提纯多晶硅的方法有效
| 申请号： | 201810272495.1 | 申请日： | 2018-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN108249447B | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 王烨;陈辉;王辛龙;袁熙志 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 成都希盛知识产权代理有限公司 51226 | 代理人： | 张徭尧;柯海军 |
| 地址： | 610065 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种提纯多晶硅的方法，具体涉及一种挥发性渣气协同提纯多晶硅的方法，属于冶金技术领域。本发明解决的技术问题是提供一种挥发性渣气协同提纯多晶硅的方法。该方法包括如下步骤：a、将原料硅与挥发性渣系造渣剂混合，在惰性气体氛围中加热至熔融，得到熔体；b、在熔体中吹入氨气混合气体，并保温反应60～120min，然后冷却、硅渣分离，得到提纯后的多晶硅。本发明方法，采用挥发性渣气协同提纯多晶硅，在多晶硅提纯过程中实现了氯化氧化氮化的协同作用，可在较短的处理时间内大幅度降低硅中硼杂质，进而大幅降低提纯能耗。 | ||
| 搜索关键词： | 提纯 多晶硅 挥发性 渣气 协同 熔体 氨气混合气体 惰性气体氛围 冶金技术领域 保温反应 氮化 硼杂质 原料硅 造渣剂 氯化 吹入 硅渣 熔融 渣系 加热 冷却 能耗 | ||
【主权项】：
1.一种挥发性渣气协同提纯多晶硅的方法，其特征在于，包括如下步骤：a、将原料硅与挥发性渣系造渣剂混合，在惰性气体氛围中加热至熔融，得到熔体，其中，所述挥发性渣系造渣剂中包含摩尔分数在40～60％的挥发性氯化物；b、在熔体中吹入氨气混合气体，并保温反应60～120min，然后冷却、硅渣分离，得到提纯后的多晶硅，所述氨气混合气体中，氨气的体积百分比在10％以上。
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