[发明专利]一种半导体制造设备和工艺的智能控制系统有效
申请号: | 201810270121.6 | 申请日: | 2018-03-29 |
公开(公告)号: | CN108470699B | 公开(公告)日: | 2019-12-06 |
发明(设计)人: | 李健斌 | 申请(专利权)人: | 新沂市瓦窑工业园区有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;G06K9/62 |
代理公司: | 11530 北京华识知识产权代理有限公司 | 代理人: | 乔浩刚<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 221400 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供了一种半导体制造设备和工艺的智能控制系统,包括数据预处理单元、离群点检测单元、支持向量机训练单元、智能监控单元和持续学习单元;其中数据预处理单元包括预处理模块和聚类处理模块,预处理模块用于对半导体制造设备和工艺采集的数据采集的数据进行预处理,聚类处理模块通过全局K‑均值聚类算法对预处理模块预处理后的数据进行聚类处理;离群点检测单元对聚类处理后的数据进行离群点检测,得到离群点集。 | ||
搜索关键词: | 离群点检测 预处理模块 半导体制造设备 数据预处理单元 预处理 聚类处理模块 智能控制系统 聚类处理 支持向量机训练 均值聚类算法 智能监控单元 导体制造 数据采集 学习单元 点集 采集 全局 | ||
【主权项】:
1.一种半导体制造设备和工艺的智能控制系统,其特征是,包括数据预处理单元、离群点检测单元、支持向量机训练单元、智能监控单元和持续学习单元;/n数据预处理单元包括预处理模块和聚类处理模块,预处理模块用于对半导体制造设备和工艺采集的数据采集的数据进行预处理,聚类处理模块通过全局K-均值聚类算法对预处理模块预处理后的数据进行聚类处理;/n离群点检测单元对聚类处理后的数据进行离群点检测,得到离群点集;/n支持向量机训练单元将离群点集划分为训练样本集和测试样本集,并利用训练样本集对支持向量机进行训练,并通过查看测试样本集对支持向量机验证的结果来完成支持向量机的训练与测试验证;若验证结果不符合要求,则调整支持向量机参数,再通过迭代计算,直到验证结果符合要求,输出最终数据训练参数给智能监控单元;/n所述智能监控单元用于利用支持向量机训练单元输出的最终数据训练参数监测和控制半导体制造设备和工艺;/n所述持续学习单元用于当智能监控单元监测到半导体制造设备和工艺发生异常行为时,将新发现的异常行为数据及其前后相邻的正常数据组成新训练样本数据集并进行标注,利用新训练样本数据集对支持向量机进行训练,输出新训练参数给智能监控单元,对智能监控单元进行参数更新;/n所述的全局K-均值聚类算法为改进的全局K-均值聚类算法,该改进的全局K-均值聚类算法具体包括:/n(1)提取预处理后的设定时间段的数据作为一个数据集,设为Y;/n(2)将数据集Y中的数据按照从小到大进行排序,选取其中的中位数作为数据集Y的聚类中心且令λ=1;/n(3)令λ=λ+1,若λ>M,M为设定的迭代次数阈值,则算法终止;/n(4)取前λ-1次的初始聚类中心Q1,Q2,…,Qλ-1,并取数据集中的数据yi作为第λ个初始聚类中心,yi∈Y,i=1,…,N,N为数据集Y具有的数据量,按照下列公式计算Hi,选择使得Hi取值最大的一组聚类中心作为最优初始聚类中心:/n /n式中,yj∈Y,Hi用于测量在yi处加入一个聚类中心后聚类误差减少的量, 表示yj到在Q1,Q2,…,Qλ-1中距离最近的初始聚类中心的距离平方;/n(5)对最优初始聚类中心应用K-均值算法进行聚类,并保存聚类结果,记它们的初始聚类中心为Z1,Z2,…,Zλ;/n(6)若得到的聚类结果有只包含一个数据的簇,则令此簇对应的Hi为0,转到(4);否则转到(7);/n(7)令Qk=Zk,k=1,…,λ,转步骤(3)。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造