[发明专利]一种双C结构SIW传输线

摘要

本发明涉及微波、传输线技术，具体涉及一种双C结构SIW传输线，具有高Q、低损、低泄露的特性。本发明将传统SIW传输线的各排金属圆柱替换为上下两排互相交错的片状圆弧金属片，各片状圆弧金属片相同，圆弧的内半径为D，单排相邻片状圆弧金属片的最短距离为d，圆弧两端间的最小距离为f，上下两排交错的片状圆弧金属片间的最短距离为w，其中0＜d＜D，d＜f，0＜w≤d。本发明通过采用双C结构替换传统SIW中的金属圆柱，在保证无TM模式下，克服了在传输过程中，传统SIW结构的两排金属圆柱使电磁波泄露出去，导致行波关状态不理想，降低行腔Q值，增加电磁波的向外辐射大的技术问题。

主权项

1.一种双C结构SIW传输线，其特征在于：将传统SIW传输线的各排金属圆柱替换为上下两排互相交错的片状圆弧金属片，各片状圆弧金属片相同，圆弧的内半径为D，单排相邻片状圆弧金属片的最短距离为d，圆弧两端间的最小距离为f，上下两排交错的片状圆弧金属片间的最短距离为w，其中0＜d＜D，d＜f，0＜w≤d。