[发明专利]一种发光二极管的外延片及其制作方法有效
| 申请号： | 201810258729.7 | 申请日： | 2018-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN108461589B | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | 乔楠;李昱桦;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/12;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制作方法，属于光电子制造技术领域。该外延片包括衬底和依次形成在衬底上的AlN缓冲层、三维岛状层、u型GaN层、n型层、应力释放层、发光层和p型层，三维岛状层包括形成在AlN缓冲层上的三维岛状AlGaN层和形成在三维岛状AlGaN层上的三维岛状GaN层，三维岛状AlGaN层与AlN缓冲层和三维岛状GaN层之间都具有较小的晶格差异，将三维岛状AlGaN层设置在AlN缓冲层和三维岛状GaN层之间，可以降低三维岛状层与AlN缓冲层之间的晶格失配，有利于提高外延片的晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 岛状 三维 外延片 三维岛状层 发光二极管 衬底 应力释放层 晶格差异 晶格失配 发光层 光电子 制作 制造 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管的外延片，其特征在于，所述外延片包括衬底和依次形成在所述衬底上的AlN缓冲层、三维岛状层、u型GaN层、n型层、应力释放层、发光层和p型层，所述三维岛状层包括形成在所述AlN缓冲层上的三维岛状AlGaN层和形成在所述三维岛状AlGaN层上的三维岛状GaN层，其中，所述三维岛状AlGaN层的生长温度为940～960℃，生长压力为80～120torr。
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