[发明专利]一种小型离子源及其制备方法有效
申请号: | 201810254355.1 | 申请日: | 2018-03-26 |
公开(公告)号: | CN108428610B | 公开(公告)日: | 2020-09-04 |
发明(设计)人: | 陈泽祥;吴庆阳;刘梦龙;李小兵 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01J37/08 | 分类号: | H01J37/08;H01J1/304;H01J9/02;H01J9/18 |
代理公司: | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人: | 徐金琼 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种小型离子源及其制备方法,属于场致发射电子电离气体产生离子的技术领域;解决现有离子源结构复杂、体积大、成本高和使用不方便、其产生的离子束电流大小非常难于控制、也无法实现实时可调等问题。本发明包括绝缘套筒、封装在绝缘套筒两端用于产生高能电子的电子枪、第二栅极、聚焦电极和引出离子束的引出电极等,所述电子枪一端,绝缘套筒上设置有进气口;所述电子枪包括绝缘基座,封装在绝缘基座上接地或者接负电压的场致电子发射电极和接正高压的第一栅极。本发明用于产生离子束。 | ||
搜索关键词: | 一种 小型 离子源 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种小型离子源,其特征在于,包括绝缘套筒(10)、封装在绝缘套筒(10)两端用于产生基于场致发射高能电子的电子枪和引出电极(5),所述电子枪一端,绝缘套筒上设置有气体进气口(7);所述电子枪包括绝缘基座(8),封装在绝缘基座上接地或者接负电压的场致电子发射电极和接正高压的第一栅极(3);还包括第二栅极(4),电子枪发射出的电子将在第一栅极和第二栅极之间的腔体中的气体电离形成正离子;所述引出电极(5)将正离子引出,形成所需要的离子束。
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