[发明专利]包括含硅烷乙烯互聚物配方的膜和包括其的电子设备模块有效

专利信息
申请号: 201810252852.8 申请日: 2013-02-01
公开(公告)号: CN108384033B 公开(公告)日: 2021-11-12
发明(设计)人: K.南俊迪亚;J.A.瑙莫维茨;R.M.帕特尔;M.M.休格斯;F.J.策克 申请(专利权)人: 陶氏环球技术有限责任公司
主分类号: C08F255/02 分类号: C08F255/02
代理公司: 北京坤瑞律师事务所 11494 代理人: 封新琴
地址: 美国密*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本申请更详细地公开了具有一个或多个层的乙烯互聚物膜,包括包括以下的表面层:(A)包含硅烷的乙烯互聚物,包括(1)具有小于0.905g/cm3的密度的乙烯互聚物和(2)至少0.1wt%的烷氧基硅烷;其特征在于:(3)在60℃测定具有大于5x 1015ohm‑cm的体积电阻率。在一种实施方案中,该乙烯互聚物具有小于10ppm的残余硼含量和小于100ppm的残余铝含量。还公开了层压电子设备模块,包括:A.至少一个电子设备和B.与该电子设备的至少一个表面密切接触的一种如上所述的乙烯互聚物膜。依照本发明的该层压电子设备模块显示遭遇减少的电压诱导降解(“PID”)。
搜索关键词: 包括 硅烷 乙烯 互聚物 配方 电子设备 模块
【主权项】:
1.具有一个或多个层的乙烯互聚物膜,包括包括以下的表面层:(A)含硅烷的乙烯互聚物,包括:(1)具有小于0.905g/cm3的密度和小于85℃的熔点的乙烯互聚物;和(2)至少0.1wt%的烷氧基硅烷;其特征在于:(3)在60℃测定,具有大于5x1015ohm‑cm的体积电阻率。
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