[发明专利]一种掩膜版及其制备方法、阵列基板的制备方法在审

专利信息
申请号: 201810252096.9 申请日: 2018-03-26
公开(公告)号: CN108388077A 公开(公告)日: 2018-08-10
发明(设计)人: 刘明悬;张小祥;徐文清;李小龙;吴祖谋;郭会斌;宋勇志 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
主分类号: G03F1/34 分类号: G03F1/34
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 柴亮;张天舒
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种掩膜版及其制备方法、阵列基板的制备方法,属于显示技术领域,其可解决现有的掩膜版不透光区的边缘位置处存在衍射光线,致使无法按设计尺寸得到相应图案的问题。本发明的掩膜版在至少部分光可透过区的临近不透光区的边缘位置处设置相移区,在相移区设有相移掩膜,这样在该边缘位置处即使发生光线衍射现象,相移掩膜可以降低由相移区透过的光的光强,相当于衍射光线被叠加相消,使得对应不透光区的边缘位置的光刻胶不被衍射光线照射,最终可按设计尺寸得到相应图案。本发明的掩膜版适用于制备各种阵列基板。
搜索关键词: 掩膜版 制备 边缘位置 不透光区 衍射光线 阵列基板 相移区 相移掩膜 图案 光线衍射 光刻胶 可透过 光强 叠加 照射
【主权项】:
1.一种掩膜版,其特征在于,包括衬底,且所述掩膜版包括不透光区,以及邻近所述不透光区设置的至少部分光可透过区;其中,所述至少部分光可透过区的临近不透光区的边缘位置处包括相移区,所述相移区设有相移掩膜,相移掩膜用于改变通过其的光线的相位,以降低由相移区透过的光的光强。
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