[发明专利]金属连接结构的形成方法有效
| 申请号： | 201810250477.3 | 申请日： | 2018-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN110364478B | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 王秀兰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海德禾翰通律师事务所 31319 | 代理人： | 侯莉 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金属连接结构的形成方法，包括：提供介质层；在介质层上形成掩膜层；在掩膜层上形成第一光阻层，以第一光阻层为掩膜对掩膜层进行第一刻蚀，以形成多个第一通孔；形成填充第一通孔的第一金属连接结构；在掩膜层和第一金属连接结构上方形成第二光阻层；以第二光阻层为掩膜对掩膜层进行第二刻蚀，以形成多个第二通孔，且至少有一个第二通孔形成于相邻的第一金属连接结构之间；和形成填充第二通孔的第二金属连接结构。金属连接结构份多次形成保证了金属连接结构的内部完整无缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 连接 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种金属连接结构的形成方法，其特征在于，包括：提供介质层；在所述介质层上形成掩膜层；在所述掩膜层上形成第一光阻层，以所述第一光阻层为掩膜对所述掩膜层进行第一刻蚀，以形成多个第一通孔；形成填充所述第一通孔的第一金属连接结构；在所述掩膜层和所述第一金属连接结构上方形成第二光阻层；以所述第二光阻层为掩膜对所述掩膜层进行第二刻蚀，以形成多个第二通孔，且至少有一个所述第二通孔形成于相邻的所述第一金属连接结构之间；和形成填充所述第二通孔的第二金属连接结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
