[发明专利]FinFET装置及在其源漏区形成外延结构的方法有效
| 申请号： | 201810246305.9 | 申请日： | 2018-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN110299409B | 公开（公告）日： | 2023-02-28 |
| 发明（设计）人： | 王楠 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京睿派知识产权代理有限公司 11597 | 代理人： | 刘锋 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供了在FinFET装置的源漏区形成外延结构的方法，包括：提供用于制备多个FinFET装置的衬底，衬底形成有每个FinFET装置的至少两个鳍片、部分的包围鳍片两侧和上表面的栅极结构、以及鳍片之间的隔离层，至少两个鳍片未被栅极结构包围的部分构成每个FinFET装置的源漏区；在源漏区分别围绕每个鳍片形成外延结构；对外延结构进行倾斜离子注入，在外延结构的表面形成阻挡层；执行外延结构的合并制程，在合并制程中利用阻挡层阻挡最外侧鳍片的外延结构向FinFET装置外部扩张，防止FinFET装置之间的鳍片短路的同时，尽可能的增大FinFET装置内部的外延结构的体积以改善装置性能。 | ||
| 搜索关键词： | finfet 装置 源漏区 形成 外延 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在FinFET装置的源漏区形成外延结构的方法，其特征在于，包括：提供用于制备多个FinFET装置的衬底，所述衬底形成有每个FinFET装置的至少两个鳍片、部分的包围鳍片两侧和上表面的栅极结构、以及鳍片之间的隔离层，所述至少两个鳍片未被栅极结构包围的部分构成每个FinFET装置的源漏区；在所述源漏区分别围绕每个鳍片形成外延结构；对所述外延结构进行倾斜离子注入，在所述外延结构的表面形成阻挡层；执行外延结构的合并制程，在所述合并制程中利用所述阻挡层阻挡最外侧鳍片的外延结构向所述FinFET装置外部扩张。
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