[发明专利]一种晶界精确掺杂的钙钛矿太阳能电池及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201810243472.8 申请日: 2018-03-23
公开(公告)号: CN109065720B 公开(公告)日: 2022-06-17
发明(设计)人: 田辉;张京;熊启;陆超杰;侯大刚;诸跃进 申请(专利权)人: 宁波大学
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48
代理公司: 杭州五洲普华专利代理事务所(特殊普通合伙) 33260 代理人: 丁少华
地址: 315211 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及一种晶界精确掺杂的钙钛矿太阳能电池及其制备方法,其特征在于:导电玻璃层、致密二氧化钛膜、钛掺杂CH3NH3PbI3多晶膜、空穴传输材料层及蒸镀银电极层,钛掺杂CH3NH3PbI3多晶膜是指晶界处掺杂有钛离子,经过退火原位形成晶界缺陷钝化的CH3NH3PbI3多晶膜,钛离子的摩尔数为铅离子摩尔数的0.01%‑5%。本发明通过钛元素的掺入,有效抑制了电池内部p‑n结的载流子在晶界处复合,使得并联寄生电阻增大,从而提高了电池填充因子,光电流密度与光电转换效率。同时钛元素的掺杂比例进行了优化,进一步提高了光电转换效率。
搜索关键词: 一种 精确 掺杂 钙钛矿 太阳能电池 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种晶界精确掺杂的钙钛矿太阳能电池,其特征在于:导电玻璃层、致密二氧化钛膜、钛掺杂CH3NH3PbI3多晶膜、空穴传输材料层及蒸镀银电极层,钛掺杂CH3NH3PbI3多晶膜是指晶界处掺杂有钛离子,经过退火原位形成晶界缺陷钝化的CH3NH3PbI3多晶膜,钛离子的摩尔数为铅离子摩尔数的0.01%‑5%。
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