[发明专利]一种高速低噪声动态比较器有效
| 申请号： | 201810239481.X | 申请日： | 2018-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN108494388B | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 徐代果;胡刚毅;李儒章;王健安;陈光炳;付东兵;徐世六;刘涛;蒲杰;冯志华 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 |
| 主分类号： | H03K5/24 | 分类号： | H03K5/24 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 尹丽云 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高速低噪声动态比较器，包括：输入单元，所述输入单元包括输入NMOS管和输入PMOS管，锁存器单元，所述锁存器单元包括锁存NMOS管和锁存PMOS管，所述锁存NMOS管和锁存PMOS管连接形成锁存器结构；上拉单元，包括与输入NMOS管连接的上拉PMOS管；衬底自举电压产生电路，用于产生衬底自举电压；本发明通过采用MOS管的衬底自举技术，减小了MOS管的导通电阻，增加了比较器的比较器速度，进一步提高了比较器的比较器速度；同时，降低了比较器的输入管的阈值电压，使得输入管的跨导增加，从而降低了比较器的等效输入噪声，随着比较器共模电压的变化，比较器的比较延迟变化相对较小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高速 噪声 动态 比较 | ||
【主权项】：
1.一种高速低噪声动态比较器，其特征在于，包括：输入单元，所述输入单元包括输入NMOS管和输入PMOS管，锁存器单元，所述锁存器单元包括锁存NMOS管和锁存PMOS管，所述锁存NMOS管和锁存PMOS管连接形成锁存器结构；上拉单元，包括与输入NMOS管连接的上拉PMOS管；下拉单元，包括与输入PMOS管连接的上拉NMOS管；第一信号控制端，用于产生第一控制信号；第二信号控制端，用于产生第二控制信号；衬底自举电压产生电路，用于产生衬底自举电压，包括与NMOS管衬底连接的第一自举电压产生电路和与PMOS管衬底连接的第二自举电压产生电路。
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