[发明专利]石墨烯基互补型非对称Π型结构THz调制器及制备方法

摘要

本发明涉及石墨烯基互补型非对称Π型结构THz调制器及制备方法，THz调制器包括：聚合物柔性衬底层；氧化铟锡(Indium tin oxide，ITO)半导体溅射层；Al2O3绝缘‑石墨烯有源区结构复合层：生长在ITO层上，由至少一个Al2O3绝缘‑有源区子结构叠加组成，所述的Al2O3绝缘‑有源区子结构包括位于下方的Al2O3绝缘层，以及生长在Al2O3绝缘层上的互补型石墨烯微结构层；通过自旋喷涂的方法在最上方的一个有源区子结构上制作导电凝胶‑凝胶层为上电极。与现有技术相比，本发明可以实现对太赫兹波的有效调节，调制器的品质因子高(Q30)、可调性能好和调制深度大等优点。

主权项

1.石墨烯基互补型非对称Π型微结构THz调制器，其特征在于，该调制器包括：聚合物柔性衬底层；半导体Si外延层:通过外延生长方法在聚合物柔性衬底层外形成厚度为1‑10μm掺杂Si的半导体Si外延层；半导体氧化铟锡溅射层：生长在所述聚合物柔性衬底层和半导体Si外延层上面；Al2O3绝缘‑有源区结构复合层：生长在所述半导体氧化铟锡溅射层上，由至少一个Al2O3绝缘‑有源区子结构叠加组成，所述的Al2O3绝缘‑有源区子结构包括位于下方的Al2O3绝缘层，以及生长在Al2O3绝缘层上的互补型石墨烯非对称Π型微结构层形成THz的有源区子结构，所述互补型石墨烯非对称Π型微结构层上设有的两个宽度不同的狭缝；溶胶‑凝胶层：覆盖在所述Al2O3绝缘‑有源区结构复合层上面，然后在上面蒸镀金属薄层。