[发明专利]化学机械抛光垫有效
| 申请号： | 201810232714.3 | 申请日： | 2018-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN108687654B | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | B·钱;F·叶;T-C·王;S-H·曾;K·W-H·佟;M·W·德格鲁特 | 申请（专利权）人： | 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司;陶氏环球技术有限责任公司 |
| 主分类号： | B24B37/24 | 分类号： | B24B37/24 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈哲锋;胡嘉倩 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供对半导体晶片中的金属表面，如含铜或含钨的金属表面进行CMP抛光的方法，所述方法包含使用在抛光层中具有顶部抛光表面的CMP抛光垫对所述衬底进行CMP抛光，所述抛光层是异氰酸酯封端的氨基甲酸酯预聚物与固化剂组分的反应产物，所述固化剂组分包含数均分子量是6000到15,000且每分子平均具有5到7个羟基的多元醇固化剂和多官能芳香族胺固化剂，其中所述抛光层如果未填充，那么其在室温下在去离子(DI)水中浸泡一周后的吸水率将是4到8wt.％。所述方法形成具有低缺陷率和最低凹陷程度的共面金属和介电或氧化物层表面。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械抛光 | ||
【主权项】：
1.一种对半导体晶片、磁性或光学衬底中的金属表面进行CMP抛光的方法，其包含：使用在抛光层中具有顶部抛光表面的CMP抛光垫对所述衬底进行CMP抛光，所述抛光层包含以下的反应产物：具有8.5到9.5wt.％未反应的NCO基团的异氰酸酯封端的氨基甲酸酯预聚物；与固化剂组分，其包含按所述固化剂组分的固体重量计60.3到70wt.％的数均分子量是6000到15，000且每分子平均具有5到7个羟基的多元醇固化剂；和按所述固化剂组分的固体重量计30到39.7wt.％的多官能芳香族胺固化剂，其中所述抛光层如果未填充或缺少增加的孔隙率，那么其在室温下在去离子(DI)水中浸泡一周后的吸水率将是4到8wt.％，并且肖氏D硬度在28到64范围内，所述顶部抛光表面适于平面化并抛光所述衬底中的所述金属表面，从而形成具有低缺陷率和最低凹陷程度的共面金属和介电或氧化物层表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司;陶氏环球技术有限责任公司，未经罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司;陶氏环球技术有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810232714.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：研磨垫及研磨方法
- 下一篇：一种组合石材抛光、研磨、清洁垫
