[发明专利]一种半导体器件及电子装置在审
| 申请号： | 201810231077.8 | 申请日： | 2018-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN110310938A | 公开（公告）日： | 2019-10-08 |
| 发明（设计）人： | 陆水华;费春潮;陆丽辉;王亚平 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及电子装置，所述半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括主芯片区，在位于所述主芯片区的所述半导体衬底上形成有互连层，在所述主芯片区与切割道之间形成有密封环；以及形成于所述互连层上方的第一再分布介质层和形成于所述第一再分布层上的第二再分布介质层，所述第一再分布介质层中形成有与所述互连层电连接的再分布层；其中，所述第一再分布介质层的边缘位于所述密封环的上方，所述第二再分布介质层的边缘位于所述第一再分布介质层的上方。本发明提供的半导体器件，能够降低再分布介质层的边缘应力，降低产生开裂现象的风险，从而避免芯片受到损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 介质层 再分布 半导体器件 互连层 主芯片 衬底 半导体 电子装置 再分布层 密封环 边缘应力 电连接 切割道 损伤 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括主芯片区，在位于所述主芯片区的所述半导体衬底上形成有互连层，在所述主芯片区与切割道之间形成有密封环；以及形成于所述互连层上方的第一再分布介质层和形成于所述第一再分布层上的第二再分布介质层，所述第一再分布介质层中形成有与所述互连层电连接的再分布层；其中，所述第一再分布介质层的边缘位于所述密封环的上方，所述第二再分布介质层的边缘位于所述第一再分布介质层的上方。
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