[发明专利]一种基于电子束曝光的光栅制作方法有效
| 申请号： | 201810229247.9 | 申请日： | 2018-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN108398737B | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 陈佩佩;董凤良;褚卫国 | 申请（专利权）人： | 国家纳米科学中心 |
| 主分类号： | G02B5/18 | 分类号： | G02B5/18 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 100190 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种基于电子束曝光的光栅制作方法。所述方法包括：在衬底上涂覆电子束胶并烘烤；绘制光栅掩膜图形，并通过电子束曝光图形转换工具调整所述光栅掩膜图形的尺寸，使调整后的光栅掩膜图形的光栅条宽度和光栅条长度是步长的整数倍，分辨率等于步长的整数分之一倍，且小于所述光栅条宽度的最小偏差值，其中所述步长是设定单位长度；采用调整后的光栅掩膜图形对所述衬底进行电子束曝光和显影，得到目标周期的光栅结构。本发明实施例可以减少制作误差，提高光栅的制作精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 电子束 曝光 光栅 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于电子束曝光的光栅制作方法，其特征在于，包括：在衬底上涂覆电子束胶并烘烤；绘制光栅掩膜图形，并通过电子束曝光图形转换工具调整所述光栅掩膜图形的尺寸，使调整后的光栅掩膜图形的光栅条宽度和光栅条长度是步长的整数倍，分辨率等于步长的整数分之一倍，且小于所述光栅条宽度的最小偏差值，其中所述步长是设定单位长度；采用调整后的光栅掩膜图形对所述衬底进行电子束曝光和显影，得到目标周期的光栅结构。
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