[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201810228420.3 | 申请日： | 2018-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN108665921B | 公开（公告）日： | 2022-04-26 |
| 发明（设计）人： | 金大植;高宽协 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/34 | 分类号： | G11C11/34;H01L27/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括含第一基板的第一半导体芯片。第一磁隧道结在第一基板上。第二半导体芯片包括第二基板。第二磁隧道结在第二基板上。第二半导体芯片放置在第一半导体芯片上以形成芯片堆叠。第一磁隧道结的磁化翻转所需的第一临界电流密度不同于第二磁隧道结的磁化翻转所需的第二临界电流密度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：第一半导体芯片，其包括第一基板和在所述第一基板上的第一磁隧道结，以及第二半导体芯片，其包括第二基板和在所述第二基板上的第二磁隧道结，所述第二半导体芯片在所述第一半导体芯片上以形成芯片堆叠，其中所述第一磁隧道结的磁化翻转所需的第一临界电流密度不同于所述第二磁隧道结的磁化翻转所需的第二临界电流密度。
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