[发明专利]一种ZnIn2S4纳米薄片阵列结构及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201810226667.1 申请日: 2018-03-19
公开(公告)号: CN108409157A 公开(公告)日: 2018-08-17
发明(设计)人: 仇亮;顾修全 申请(专利权)人: 中国矿业大学
主分类号: C03C17/34 分类号: C03C17/34;C30B29/46;C30B7/14;C25B1/04;C25B11/06
代理公司: 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 代理人: 杨晓玲
地址: 221116 江苏省徐*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种ZnIn2S4纳米薄片阵列结构及其制备方法,属于可见光响应的光电极材料的制备方法。配制水热反应前驱体溶液,往水中依次加入可溶性的二价锌盐、三价铟盐、硫脲以及适量的盐酸,充分搅拌均匀至澄清溶液状态,无任何沉淀不溶物存在;再将前驱体溶液及衬底转移至水热反应釜中,保持导电面朝下放置,升温至200~250℃,使其反应2~6h;反应釜自然冷却后,取出反应产物,洗涤、干燥。制备出的ZnIn2S4纳米薄片阵列具有比表面积大、可见光响应、单晶有序结构、附着力强、耐腐蚀等优点,能够生长在各种类型的衬底上,应用于光电催化分解水制氢、污水处理、生物传感、太阳能电池等领域;方法简单、无毒,且易于操作、制备工艺参数窗口宽,制备成本低,适合工业化生产。
搜索关键词: 制备 纳米薄片阵列 可见光响应 前驱体溶液 制备工艺参数 光电极材料 水热反应釜 太阳能电池 朝下放置 衬底转移 澄清溶液 二价锌盐 附着力强 光电催化 三价铟盐 生物传感 水热反应 不溶物 导电面 反应釜 分解水 耐腐蚀 衬底 单晶 硫脲 水中 制氢 盐酸 洗涤 沉淀 配制 污水处理 无毒 取出 生长 应用
【主权项】:
1.一种ZnIn2S4纳米薄片阵列结构,其特征是:纳米薄片阵列结构为单晶有序结构,尺寸为1~5μm,厚度为50~100nm,且垂直生长在衬底上;单晶有序结构材料直接用作光解水制氢电池、光电生物传感器的光阳极。
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