[发明专利]相变存储器有效
| 申请号： | 201810225326.2 | 申请日： | 2018-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN108735897B | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | P·莫林;M·哈蒙德;P·祖里亚尼 | 申请（专利权）人： | 意法半导体（克洛尔2）公司;意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;吕世磊 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种相变存储器包括具有第一部分和第二部分的L形电阻元件，第一部分在相变材料层与导电过孔的上端部之间延伸，第二部分至少部分地位于导电过孔的上端部上并且可以进一步延伸超过导电过孔的外围边缘。导电过孔的上部被不可能不利地与电阻元件的金属材料发生反应的绝缘材料围绕。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种相变存储器，包括：L形电阻元件，其中所述电阻元件的第一部分在相变材料层与导电过孔的上端部之间延伸，并且其中所述电阻元件的第二部分至少部分地位于所述导电过孔的所述上端部上；以及绝缘体，围绕所述导电过孔的上部，其中所述绝缘体由不可能与所述电阻元件反应的材料制成。
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