[发明专利]温度控制装置及用于形成光刻胶层的方法有效
| 申请号: | 201810224649.X | 申请日: | 2018-03-19 |
| 公开(公告)号: | CN110098135B | 公开(公告)日: | 2022-11-15 |
| 发明(设计)人: | 廖启宏;郑威昌 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/027 |
| 代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人: | 顾伯兴 |
| 地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | 一种温度控制装置包括台板、流体源、冷却器、第一管道及第二管道。所述流体源供应流体。所述冷却器耦合到所述流体源,以将所述流体源中的所述流体冷却到冷却温度。所述第一管道包括与所述流体源流体连通的第一入口、第一出口及将所述流体从所述冷却温度加热到第一加热温度的第一加热器。经过所述第一加热器加热的所述流体通过所述第一出口分配到所述台板上。所述第二管道包括与所述流体源流体连通的第二入口、第二出口及将所述流体从所述冷却温度加热到第二加热温度的第二加热器,所述第二加热温度不同于所述第一加热温度。经过所述第二加热器加热的所述流体通过所述第二出口分配到所述台板上。 | ||
| 搜索关键词: | 温度 控制 装置 用于 形成 光刻 方法 | ||
【主权项】:
1.一种温度控制装置,其特征在于,包括:台板;流体源,供应流体;冷却器,耦合到所述流体源,以将所述流体源中的所述流体冷却到冷却温度;第一管道,包括与所述流体源流体连通的第一入口、第一出口及被配置成将所述流体从所述冷却温度加热到第一加热温度的第一加热器,其中经过所述第一加热器加热的所述流体通过所述第一出口分配到所述台板上,且所述第一加热温度高于所述冷却温度;以及第二管道,包括与所述流体源流体连通的第二入口、第二出口及被配置成将所述流体从所述冷却温度加热到第二加热温度的第二加热器,所述第二加热温度不同于所述第一加热温度且高于所述冷却温度,其中经过所述第二加热器加热的所述流体通过所述第二出口分配到所述台板上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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