[发明专利]半导体装置的制造方法和真空处理装置有效
| 申请号： | 201810214317.3 | 申请日： | 2018-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN108630530B | 公开（公告）日： | 2023-02-28 |
| 发明（设计）人： | 山口达也;新纳礼二;桥本浩幸;野泽秀二;藤川诚 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置的制造方法和真空处理装置。提供一种能够在形成于基板的膜形成微细的图案、谋求半导体装置的微细化的技术。进行如下工序：向基板的表面供给聚合用的原料而形成由具有脲键的聚合物构成的第1膜(12)的工序；接下来对所述第1膜(12)进行蚀刻而形成图案(17)的工序；接下来对所述基板进行加热而使所述聚合物解聚、并且向该基板供给与所述聚合用的原料进行反应而产生生成物的反应气体、以对所述第1膜(12)进行置换的方式形成由与该第1膜的材质不同的材质构成的第2膜(18)的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 真空 处理 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，在该制造方法中，对基板进行处理来制造半导体装置，其特征在于，该半导体装置的制造方法包括如下工序：向所述基板的表面供给聚合用的原料而形成由具有脲键的聚合物构成的第1膜的工序；接下来对所述第1膜进行蚀刻而形成图案的工序；接下来对所述基板进行加热而使所述聚合物解聚、并且向该基板供给与所述聚合用的原料进行反应而产生生成物的反应气体、以对所述第1膜进行置换的方式形成由与该第1膜的材质不同的材质构成的第2膜的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
