[发明专利]芯片级图像传感器封装及相关制造方法有效
| 申请号： | 201810209734.9 | 申请日： | 2018-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN108695348B | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 蔡陈纬;范纯圣;林蔚峰 | 申请（专利权）人： | 豪威科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 宋融冰 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 芯片级图像传感器封装包括半导体衬底、透明衬底、薄膜和多个导电焊盘。半导体衬底具有(i)像素阵列和(ii)围绕像素阵列的外围区域。透明衬底覆盖像素阵列，具有靠近像素阵列的底部衬底表面和与底部衬底表面相对的顶部衬底表面。薄膜位于(i)全部像素阵列和(ii)与像素阵列相邻的外围区域的一部分两者的正上方的顶部衬底表面的区域上。多个导电焊盘中的每一个位于外围区域内并且电连接到像素阵列。多个导电焊盘中的每一个的一部分不是位于薄膜的正下方。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片级 图像传感器 封装 相关 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种芯片级图像传感器封装，包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有(i)像素阵列和(ii)围绕所述像素阵列的外围区域；透明衬底，所述透明衬底覆盖所述像素阵列，具有靠近所述像素阵列的底部衬底表面和与所述底部衬底表面相对的顶部衬底表面；薄膜，所述薄膜位于(i)全部所述像素阵列和(ii)与所述像素阵列相邻的所述外围区域的一部分两者的正上方的所述顶部衬底表面的区域上；和多个导电焊盘，所述多个导电焊盘在所述外围区域内并且电连接到所述像素阵列，所述多个导电焊盘中的每一个的一部分不是位于所述薄膜的正下方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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