[发明专利]一种半导体芯片结构参数分析方法在审
| 申请号： | 201810209068.9 | 申请日： | 2018-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN108447796A | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 吴照玺;丁鸷敏;段超;王小青;倪晓亮;田阳 | 申请（专利权）人： | 中国空间技术研究院 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 范晓毅 |
| 地址： | 100194 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体芯片结构参数分析方法，包括：确定半导体芯片所使用的安装材料，采用与所述安装材料相对应的获取方式，从器件中获取至少两个版图信息一致的半导体芯片；对获取到的至少两个半导体芯片中的第一半导体芯片进行横向去层，并识别各层结构信息，得到第一半导体芯片的横向结构信息；对获取到的至少两个半导体芯片中的第二半导体芯片进行纵向剖面制作，并识别得到第二半导体芯片的纵向结构信息；根据横向结构信息和纵向结构信息，确定半导体芯片的结构参数。通过本发明可以获取每层芯片的版图结构和芯片纵向的结构参数，为芯片失效分析、结构分析和芯片设计提供技术参考。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体芯片 半导体芯片结构 安装材料 参数分析 横向结构 结构参数 纵向结构 版图结构 版图信息 获取方式 技术参考 结构分析 芯片设计 芯片失效 芯片纵向 纵向剖面 层结构 芯片 制作 分析 | ||
【主权项】：
1.一种半导体芯片结构参数分析方法，其特征在于，包括：确定半导体芯片所使用的安装材料，采用与所述安装材料相对应的获取方式，从器件中获取至少两个版图信息一致的半导体芯片；对获取到的至少两个半导体芯片中的第一半导体芯片进行横向去层，并识别各层结构信息，得到第一半导体芯片的横向结构信息；对获取到的至少两个半导体芯片中的第二半导体芯片进行纵向剖面制作，并识别得到第二半导体芯片的纵向结构信息；根据横向结构信息和纵向结构信息，确定半导体芯片的结构参数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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