[发明专利]图像传感器及其形成方法、成像系统在审
| 申请号： | 201810208206.1 | 申请日： | 2018-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN108493204A | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 穆钰平;周艮梅;黄晓橹 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 武振华;吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种图像传感器及其形成方法、成像系统，所述图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括并列的可见光传感区域、红外传感区域以及伪传感区域，其中，所述伪传感区域位于所述可见光传感区域以及所述红外传感区域之间；介质层，所述介质层位于所述半导体衬底表面；可见光区金属互联结构以及红外区金属互联结构，所述可见光区金属互联结构位于所述可见光传感区域的介质层内，所述红外区金属互联结构位于所述红外传感区域的介质层内；光隔离结构，位于所述伪传感区域的介质层内。本发明方案可以在同一半导体衬底内集成可见光图像传感器以及红外线图像传感器，且减少面积，降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 传感区域 介质层 金属互联结构 图像传感器 可见光 红外传感 衬底 半导体 成像系统 可见光区 红外区 红外线图像传感器 可见光图像传感器 半导体衬底表面 光隔离结构 并列 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括并列的可见光传感区域、红外传感区域以及伪传感区域，其中，所述伪传感区域位于所述可见光传感区域以及所述红外传感区域之间，所述可见光传感区域和红外传感区域的半导体衬底内形成有光电二极管；介质层，所述介质层位于所述半导体衬底表面；可见光区金属互联结构以及红外区金属互联结构，所述可见光区金属互联结构位于所述可见光传感区域的介质层内，所述红外区金属互联结构位于所述红外传感区域的介质层内；光隔离结构，位于所述伪传感区域的介质层内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
