[发明专利]差频太赫兹量子级联激光器在审
| 申请号： | 201810207975.X | 申请日： | 2018-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN108365518A | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 程凤敏;张锦川;刘峰奇;卓宁;王利军;刘俊岐;刘舒曼;王占国 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01S5/34 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种差频太赫兹量子级联激光器，包括：有源区，位于所述衬底上方，所述有源区包括自下而上的多周期级联的量子点有源层，各周期量子点有源层包括多个自下而上的InGaAs/InAlAs量子阱/垒对，以及位于每两个InGaAs/InAlAs量子阱/垒对之间插入的量子点插层，所述量子点插层包括应变自组织量子点InAs层和用于应变补偿的GaAs层。本发明引入多周期级联的量子点有源层，基于量子点的“声子瓶颈”效应和非均匀展宽，能够改善差频太赫兹量子级联激光器的性能，如功率、转化效率、调谐范围以及阈值电流密度等。 | ||
| 搜索关键词： | 量子点 太赫兹量子级联激光器 源层 多周期 量子阱 插层 差频 级联 源区 调谐 非均匀展宽 应变补偿 转化效率 自组织 衬底 声子 瓶颈 引入 | ||
【主权项】：
1.一种差频太赫兹量子级联激光器，包括：衬底；以及有源区，位于所述衬底上方，所述有源区包括自下而上的多周期级联的量子点有源层，各周期量子点有源层包括多个自下而上的InGaAs/InAlAs量子阱/垒对，以及位于每两个InGaAs/InAlAs量子阱/垒对之间插入的量子点插层，所述量子点插层包括应变自组织量子点InAs层和用于应变补偿的GaAs层。
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