[发明专利]半导体存储器件结构及其制作方法

摘要

本发明提供一种半导体存储器件结构及其制作方法，半导体存储器件结构包括半导体衬底、双面电容器、底部支撑层、中部支撑层及顶部支撑层。半导体衬底具有多个电容触点，双面电容器包括第一导电层、覆盖于第一导电层的电容介质层、及覆盖于电容介质层的第二导电层。底部支撑层连接于第一导电层的底部侧壁。中部支撑层连接于第一导电层的中部侧壁；顶部支撑层连接于第一导电层的顶部侧壁，第一导电层具有凸出于顶部支撑层的凸出部，凸出部被电容介质层及第二导电层包覆。本发明利用多层支撑层来维持足够的电容高度，解决了电容器阵列区域横向不稳定问题，并且不需要额外增加下电极的厚度甚至可降低下电极的厚度，可有效提高电容器的容量。

主权项

1.一种半导体存储器件结构，其特征在于，所述半导体存储器件结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有多个在内存数组结构中的电容触点；双面电容器，包括：连接于所述电容触点的第一导电层；覆盖于所述第一导电层的内表面及外表面的电容介质层；以及覆盖于所述电容介质层外表面的第二导电层；底部支撑层，连接于所述第一导电层的底部侧壁，所述底部支撑层形成于所述半导体衬底上；中部支撑层，连接于所述第一导电层的中部侧壁，并包含第一开口，所述中部支撑层位于所述底部支撑层之上；以及顶部支撑层，连接于所述第一导电层的顶部侧壁，并包含第二开口，所述顶部支撑层位于所述中部支撑层之上；其中，所述第一导电层具有凸出于所述顶部支撑层的凸出部，所述凸出部的顶缘被所述电容介质层及所述第二导电层包覆，以使所述双面电容器的电极高度大于由所述底部支撑层、所述中部支撑层和所述顶部支撑层所构成的支撑高度。