[发明专利]栅极的制造方法

摘要

本发明公开了一种栅极的制造方法，包括步骤：步骤一、在半导体衬底表面依次形成栅介质层和多晶硅栅；步骤二、在多晶硅栅的表面形成硬质掩模层；步骤三、对选定区域的硬质掩模层进行回刻；步骤四、进行光刻刻蚀形成多个栅极；步骤五、对选定区域的原件进行原件增强工艺，原件增强工艺对相应的原件的栅极的高度产生降低，步骤三的硬质掩模层的回刻对相应的栅极的高度的降低值和原件增强工艺对相应的原件的栅极的高度的降低值相互抵消使各区域的栅极的高度趋于一致。本发明能稳定控制栅极的高度，提高栅极高度的一致性，并进而能提高器件的电学性能。

主权项

1.一种栅极的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供一半导体衬底，在所述半导体衬底表面依次形成栅介质层和多晶硅栅；步骤二、在所述多晶硅栅的表面形成硬质掩模层；步骤三、对选定区域的所述硬质掩模层进行回刻，所述硬质掩模层的回刻对应的选定区域为后续栅极刻蚀后的原件增强工艺不会对栅极的高度产生降低影响的区域，对所述硬质掩模层的回刻的厚度根据后续的所述原件增强工艺对相应的所述栅极的高度的降低值确定；步骤四、进行光刻刻蚀形成多个栅极，各所述栅极由刻蚀后的所述栅介质层、所述多晶硅栅和所述硬质掩模层叠加而成；步骤五、对选定区域的原件进行所述原件增强工艺，所述原件增强工艺对相应的所述原件的栅极的高度产生降低，步骤三的所述硬质掩模层的回刻对相应的所述栅极的高度的降低值和所述原件增强工艺对相应的所述原件的栅极的高度的降低值相互抵消使各区域的所述栅极的高度趋于一致。