[发明专利]浅沟槽绝缘结构的制造方法

摘要

本发明公开了一种浅沟槽绝缘结构的制造方法，包括步骤：步骤一、在一半导体衬底上形成硬质掩模层并形成浅沟槽；步骤二、在浅沟槽的底部表面和侧面以及浅沟槽外的硬质掩模层表面形成第一绝缘层；步骤三、形成第二绝缘层将浅沟槽完全填充并延伸到浅沟槽外；步骤四、以硬质掩模层为停止层对第二绝缘层和第一绝缘层进行化学机械研磨并形成由填充于浅沟槽中的第一绝缘层和所述第二绝缘层叠加而成的浅沟槽绝缘结构。本发明能提高整个衬底表面的平坦化效果，也能够使浅沟槽绝缘结构顶部的碟状缺陷降低或消除，能提高CMP效率。

主权项

1.一种浅沟槽绝缘结构的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在一半导体衬底上形成硬质掩模层，采用光刻刻蚀工艺在所述半导体衬底上形成浅沟槽；步骤二、形成第一绝缘层，所述第一绝缘层形成于所述浅沟槽的底部表面和侧面并延伸到所述浅沟槽外的所述硬质掩模层的表面；步骤三、形成第二绝缘层，所述第二绝缘层将形成有所述第一绝缘层的所述浅沟槽完全填充并延伸到所述浅沟槽外的所述第一绝缘层的表面，所述第二绝缘层的顶部表面不平整且在所述浅沟槽顶部的表面高度低于所述浅沟槽外部的表面高度；步骤四、以所述硬质掩模层为停止层对所述第二绝缘层和所述第一绝缘层进行化学机械研磨并形成由填充于所述浅沟槽中的所述第一绝缘层和所述第二绝缘层叠加而成的浅沟槽绝缘结构，由所述浅沟槽绝缘结构隔离出有源区；所述第一绝缘层的材质选用在进行化学机械研磨时的研磨速率大于所述第二绝缘层的材质，当研磨到所述第一绝缘层的表面时，所述浅沟槽区域外开始对所述第一绝缘层进行研磨而所述浅沟槽区域依然保持对所述第二绝缘层进行研磨，使所述浅沟槽区域外的研磨速率大于所述浅沟槽区域内的研磨速率，从而使所述浅沟槽绝缘结构顶部的碟状缺陷降低或消除。