[发明专利]基于硼掺杂氢化硅的低角度偏移滤光片及其制备方法在审
| 申请号： | 201810205339.3 | 申请日： | 2018-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN108333661A | 公开（公告）日： | 2018-07-27 |
| 发明（设计）人： | 杨根 | 申请（专利权）人： | 湖北五方光电股份有限公司 |
| 主分类号： | G02B5/28 | 分类号： | G02B5/28;C23C14/35;C23C14/10;C23C14/06 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 434000 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明基于硼掺杂氢化硅的低角度偏移滤光片及其制备方法，滤光片包括基板、第一镀膜层和第二镀膜层，基板设置于第一镀膜层和第二镀膜层之间，第一镀膜层由内而外依次由硼掺杂氢化硅层与二氧化硅层交替沉积，第一镀膜层的最内层为硼掺杂氢化硅层，最外层为二氧化硅层，第二镀膜层由内而外依次由硼掺杂氢化硅层与二氧化硅层交替沉积，最内层为硼掺杂氢化硅层，最外层为二氧化硅层。本发明提供的基于硼掺杂氢化硅的低角度偏移滤光片及其制备方法，在大入射角下，滤光片的波长漂移量降低，其中心波长角度偏移降至12nm内，同样的光谱带宽下，可实现大的视场，同样的视场角下，具有更小的通带带宽，提高近红外成像系统的信噪比，降低制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 镀膜层 硼掺杂 滤光片 二氧化硅层 角度偏移 氢化硅层 氢化硅 制备 交替沉积 最内层 最外层 近红外成像系统 波长漂移量 大入射角 基板设置 通带带宽 制造成本 中心波长 视场角 信噪比 光谱 基板 视场 带宽 | ||
【主权项】：
1.基于硼掺杂氢化硅的低角度偏移滤光片，其特征在于，包括基板(1)、以交替的硼掺杂氢化硅和二氧化硅为镀膜材料的第一镀膜层(2)和以交替的硼掺杂氢化硅和二氧化硅为镀膜材料的第二镀膜层(3)，所述基板(1)设置于第一镀膜层(2)和第二镀膜层(3)之间；所述第一镀膜层(2)由内而外依次由硼掺杂氢化硅层与二氧化硅层交替沉积，第一镀膜层(2)的最内层为硼掺杂氢化硅层且其沉积在基板(1)的一侧表面，第一镀膜层(2)的最外层为二氧化硅层；所述第二镀膜层(3)由内而外依次由硼掺杂氢化硅层与二氧化硅层交替沉积，第二镀膜层(3)的最内层为硼掺杂氢化硅层且其沉积在基板(1)相对的另一侧表面，第二镀膜层(3)的最外层为二氧化硅层。
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