[发明专利]集成有功率开关管的电源管理集成电路及电源管理装置

摘要

本发明涉及一种集成有功率开关管的电源管理集成电路及电源管理装置，所述集成有功率开关管的电源管理集成电路包括MOS芯片和主控芯片，MOS芯片包括JFET和MOSFET，JFET的输入端连接电源管理集成电路的电源输入端、输出端连接主控芯片的VDD端、受控端连接主控芯片，MOSFET的输入端连接电源管理集成电路的电源输入端；主控芯片包括脉冲宽度调制单元，脉冲宽度调制单元的输出端连接MOSFET的受控端，MOS芯片采用与主控芯片不同的制造工艺进行制造，使得MOS芯片的耐压高于主控芯片、线宽大于主控芯片。本发明将JFET集成进MOS芯片中，MOS芯片采用高压工艺、主控芯片采用低压工艺制作，使得主控芯片的产品稳定性、一致性大幅提高，芯片面积减小，整体的成本大幅下降。

主权项

1.一种集成有功率开关管的电源管理集成电路，其特征在于，包括MOS芯片和主控芯片，所述MOS芯片包括结型场效应管和金属氧化物半导体场效应管，所述结型场效应管的输入端连接所述电源管理集成电路的电源输入端，所述结型场效应管的输出端连接所述主控芯片的VDD端，用于给所述主控芯片提供工作电压；所述结型场效应管的受控端连接所述主控芯片，所述主控芯片在监控到所述VDD端的电压达到周期上限值时，通过所述受控端控制所述结型场效应管关断，并在监控到所述VDD端的电压下降到周期下限值时，通过所述受控端控制所述结型场效应管导通以继续向所述主控芯片提供工作电压；所述金属氧化物半导体场效应管的输入端连接所述电源管理集成电路的电源输入端，所述主控芯片包括脉冲宽度调制单元，所述脉冲宽度调制单元的输出端连接所述金属氧化物半导体场效应管的受控端，所述脉冲宽度调制单元通过输出脉冲宽度调制信号控制所述金属氧化物半导体场效应管的导通和关断，从而控制所述电源管理集成电路输出端的输出信号的输出与截止；所述MOS芯片采用与所述主控芯片不同的制造工艺进行制造，使得所述MOS芯片的耐压高于所述主控芯片、线宽大于所述主控芯片。