[发明专利]高光学纯度阿法替尼晶型的制备方法在审

专利信息
申请号: 201810190566.3 申请日: 2018-03-08
公开(公告)号: CN108164516A 公开(公告)日: 2018-06-15
发明(设计)人: 董丹丹 申请(专利权)人: 董丹丹
主分类号: C07D405/12 分类号: C07D405/12
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 562100 贵州省安顺市*** 国省代码: 贵州;52
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摘要: 发明公开了高光学纯度阿法替尼晶型的制备方法,工艺过程简洁,采用4‑羟基‑6‑氨基‑7‑[(S)‑(四氢呋喃‑3‑基)氧基]喹唑啉和4‑(N,N‑二甲基氨基)‑2‑丁烯酰氯为起始原料制备高光学纯度阿法替尼,经济环保,质量可控,制备过程中的中间产物均不需要柱层析,制备过程不产生难以去除的杂质,制得的高光学纯度阿法替尼化学纯度经高效液相检测达到99.4%以上,最后通过毛细管法得到的高光学纯度阿法替尼晶型,大大提高了高光学纯度阿法替尼晶型产品的质量。 1
搜索关键词: 高光学纯度 晶型 制备 制备过程 氨基 高效液相检测 二甲基氨基 工艺过程 化学纯度 晶型产品 毛细管法 起始原料 四氢呋喃 柱层析 喹唑啉 丁烯 可控 氧基 羟基 酰氯 去除 环保
【主权项】:
1.高光学纯度阿法替尼的制备方法,其特征在于:先通过以下路线制得高光学纯度阿法替尼,反应路线为:

制备方法为:

(1)将反应原料4‑羟基‑6‑氨基‑7‑[(S)‑(四氢呋喃‑3‑基)氧基]喹唑啉①于反应容器内加入N,N‑二甲基甲酰胺(DMF),电磁搅拌至4‑羟基‑6‑氨基‑7‑[(S)‑(四氢呋喃‑3‑基)氧基]喹唑啉①完全溶解,加入碱性催化剂三乙胺与吡啶的混合液,备用;

(2)将反应原料4‑(N,N‑二甲基氨基)‑2‑丁烯酰氯溶于四氢呋喃(THF)中,充分溶解后通过滴液漏斗慢慢滴入步骤(1)的反应容器内,控制反应温度至8~15℃,发生酰胺化反应,得到4‑羟基‑6‑{[4‑(N,N‑二甲基氨基)‑1‑氧代‑2‑丁烯‑1‑基]氨基}‑7‑[(S)‑(四氢呋喃‑3‑基)氧基]喹唑啉②;

(3)将步骤(2)生成的4‑羟基‑6‑{[4‑(N,N‑二甲基氨基)‑1‑氧代‑2‑丁烯‑1‑基]氨基}‑7‑[(S)‑(四氢呋喃‑3‑基)氧基]喹唑啉②与反应原料3‑氯‑4‑氟苯胺混合,加入无机酸液与催化剂,电磁搅拌,于一定压强、一定温度下反应,得到阿法替尼粗品4‑[(3‑氯‑4‑氟苯基)氨基]‑6‑{[4‑(N,N‑二甲基氨基)‑1‑氧代‑2‑丁烯‑1‑基]氨基}‑7‑[(S)‑(四氢呋喃‑3‑基)氧基]喹唑啉③;

(4)将步骤(3)得到的阿法替尼粗品4‑[(3‑氯‑4‑氟苯基)氨基]‑6‑{[4‑(N,N‑二甲基氨基)‑1‑氧代‑2‑丁烯‑1‑基]氨基}‑7‑[(S)‑(四氢呋喃‑3‑基)氧基]喹唑啉③加热溶解于纯水与乙腈中,用活性炭脱色,过滤除去活性炭,减压浓缩除去乙腈与水,当乙腈与水的混合液剩余量为加入4‑[(3‑氯‑4‑氟苯基)氨基]‑6‑{[4‑(N,N‑二甲基氨基)‑1‑氧代‑2‑丁烯‑1‑基]氨基}‑7‑[(S)‑(四氢呋喃‑3‑基)氧基]喹唑啉③重量2~3倍时停止浓缩,0~5℃低温冷却结晶,得到结晶物高光学纯度阿法替尼。

2.根据权利要求1所述的高光学纯度阿法替尼的制备方法,其特征在于:所述步骤(1)中的三乙胺与吡啶的体积比为1:1~2。

3.根据权利要求1所述的高光学纯度阿法替尼的制备方法,其特征在于:所述步骤(3)中的无机酸液为70%~80%的硫酸溶液,所述催化剂为亚硫酸氢钠,所述反应压强为2.5~3Mpa,反应温度为230℃。

4.根据权利要求1所述的高光学纯度阿法替尼的制备方法,其特征在于:所述步骤(1)中的4‑羟基‑6‑氨基‑7‑[(S)‑(四氢呋喃‑3‑基)氧基]喹唑啉①与步骤(2)中的4‑(N,N‑二甲基氨基)‑2‑丁烯酰氯的摩尔比为1:1.1~1.5,所述步骤(3)中的4‑羟基‑6‑{[4‑(N,N‑二甲基氨基)‑1‑氧代‑2‑丁烯‑1‑基]氨基}‑7‑[(S)‑(四氢呋喃‑3‑基)氧基]喹唑啉②与3‑氯‑4‑氟苯胺的摩尔比为1:1.2~1.6。

5.利用根据权利要求1所述的高光学纯度阿法替尼制备高光学纯度阿法替尼晶型,其特征在于:制成所述高光学纯度阿法替尼晶型的制备方法为:

将结晶物高光学纯度阿法替尼溶于有机溶剂中,待搅拌溶解后通过虹吸吸入毛细管当中,此后蜡封住毛细管的一端,置于一定温度与湿度(RH)的空气中进行挥发,制得高光学纯度阿法替尼晶型。

6.根据权利要求5所述的高光学纯度阿法替尼晶型的制备方法,其特征在于:所述有机溶剂为N,N‑二甲基甲酰胺、N,N‑二甲基乙酰胺、N‑甲基吡咯烷酮或叔戊醇、四氢呋喃或甲基叔丁基醚。

7.根据权利要求5所述的高光学纯度阿法替尼晶型的制备方法,其特征在于:所述挥发温度为40~80℃,所述挥发湿度(RH)为30%~50%。

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